giovedì 24 maggio 2012

Amplificatore non invertente


Amplificatore non invertente


In un amplificatore non invertente il generatore di segnale viene collegato al morsetto non invertente .
Il morsetto invertente è collegato attraverso una resistenza a massa.

Amplificatore invertente


Amplificatore invertente



In un amplificatore invertente il generatore di segnale viene collegato al morsetto invertente attraverso una resistenza.
Il morsetto non invertente è collegato direttamente a massa.

Sommatore non invertente



Sommatore non invertente
schema circuitale di un sommatore non invertente

Nel sommatore non invertente i segnali da sommare vengono tutti collegati al morsetto non invertente attraverso una propria resistenza.

Si sa che gli ingressi di un operazionale non assorbono corrente quindi i generatori forniscono solo un segnale in tensione e la tensione sul morsetto invertente è uguale a quella sul moretto non invertente

mercoledì 23 maggio 2012

Sommatore invertente


Sommatore invertente
Configurazione circuitale di un sommatore invertente

Nel sommatore invertente i segnali da sommare vengono tutti collegati al morsetto invertente attraverso una propria resistenza.

lunedì 21 maggio 2012

Amplificatori Operazionali


Amplificatori operazionali


L'amplificatore operazionale è fondamentalmente un amplificatore a più stadi con accoppiamento in continua.
Simbolo grafico di un amplificatore operazionale
Simbolo grafico di un amplificatore operazionale
L'amplificatore operazionale è dotato di due piedini di ingresso uno invertente indicato con il segno "-", uno non invertente indicato con il segno "+" e uno di uscita.
Tra il morsetto invertente e quello non invertente c'è una resistenza idealmente infinita quindi su di essa non  scorre corrente e si suppone che i due morsetti di ingresso siano collegati a una massa virtuale
Caratteristiche di un amplificatore operazionale:

lunedì 7 maggio 2012

Tecnologia planare del silicio


Tecnologia planare

La tecnologia planare è un particolare trattamento dei wafer di silicio ottenuti con i metodi Czochalski e floating zone per ottenere circuiti elettronici monolitici cioè con più componenti in un unico cristallo di semiconduttore.

I lingotti di silicio puro e monocristallino vengono tagliati attraverso seghe circolari o fili diamantati ottenendo così i primi wafer ancora non adatti come basi per lo sviluppo di circuiti integrati.

Taglio del wafer di silicio attraverso sega circolare e filo diamantato

I wafer così ottenuti verranno quindi lavorati attraverso tecniche successive per ridurre ulteriormente le impurità e la rugosità superficiale attraverso:

Tecniche di produzione del Silicio monocristallino: Processo Czochralski Metodo del Floating Zone


Tecniche di produzione del Silicio monocristallino:
Processo Czochralski
Metodo del Floating Zone 

Processo Czochralski

Il processo Czochralski permette di ottenere la crescita di monocristalli di estrema purezza.
Il silicio monocristallino è il materiale di base per la realizzazione di transistor, circuiti integrati, microprocessori ed altri dispositivi microelettronici integrati.

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